Модули симисторные

Технические характеристики

Модули симисторные

Также эти изделия могут называться: triac modules.

Модули симисторные предназначены для работы в цепях переменного тока, частотой до 500 Гц различных

электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условные обозначения:

Модуль М(МГ,МП)ТСТС4(7,8,11)/4(5,20)-10(16,50,63,80,100,125,160), где

- М - беспотенциальный;

- МГ - гибридный;

- МП - потенциальний.

ТС - обозначение прибора первого вида или второго вида (при его наличии) - симметричный триодный тиристор (триак).

4, 7, 8, 11 - порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

- 4 - два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов (коллекторов, истоков);

- 5 - два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе анодов (эмиттеров, стоков);

- 20 - другие виды схем, указанные в технических условиях на модули конкретных типов.

10, 16, 50, 63, 80, 100, 125, 160 - максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (в А).

Модули симисторные, которые есть в наличии на нашем складе:

Варианты исполнения модулей симисторных в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

Также на сайте zapadpribor.org представлены похожие радиокомпоненты.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) - от 200 В до 1200 В.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMSM) - от 10 А до 160 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) - от 70 А до 1,32 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) - +125° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) - (-40)° С.

Температура корпуса (TC) - +85° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4 - не более 0,52°С /Вт;

- 7- не более 2,6°С /Вт;

- 8 - не более 0,27°С /Вт;

- 11 - не более 0,6°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,3°С /Вт;

- 7- не более 0,8°С /Вт;

- 8 - не более 0,2°С /Вт;

- 11 - не более 0,57°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) одного элемента при естественном охлаждении и постоянном токе для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4 - не более 1,48°С /Вт;

- 7- не более 6,2°С /Вт;

- 8 - не более 1,13°С /Вт;

- 11 - не более 3,97°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда одного элемента при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,99°С /Вт;

- 8 - не более 0,64°С /Вт;

- 11 - не более 1,84°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4 - ОР344-120; ОР344-180;

- 7- ОР244-60; ОР244-80;

- 8 - ОР344-180; ОР344-240;

- 11 - ОР234-80.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс в каждом направлении и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) - от 225 В до 1300 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) при температуре корпуса (TC) - 0,6·UDRM.

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) - 0,8·UDRM.

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии (dUD/dt)crit при импульсах источника управления в форме експоненциальной с амплитудой не более 50 В, длительности фронта 1 мкс, сопротивлении не более 50 Ом, равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 200 мкс, равенстве токов IT и ITRMSM, и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для группы модулей симисторных:

- 0 - не менее 1 В/мкс;

- 1 - не менее 2,5 В/мкс;

- 2 - не менее 4 В/мкс;

- 3 - не менее 6,3 В/мкс;

- 4 - не менее 10 В/мкс;

- 5 - не менее 16 В/мкс;

- 6 - не менее 25 В/мкс;

- 7 - не менее 50 В/мкс;

- 8 - не менее 100 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) (цепь управления разомкнута):

- при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 3 мА;

- при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не более 15 мА.

Прямые параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM) при токе IT 1,41·ITRMSM и температуре перехода (Tj) +25° С - от 1,6 В до 1,8 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (UT(TO)) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не более 1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (rT) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4 - 6,2 мОм; 8,4 мОм; 11 мОм;

- 7 - 31 мОм; 53 мОм;

- 8 - 2,9 мОм; 4 мОм; 5,3 мОм;

- 11 - 5,3 мОм; 7,3 мОм; 10 мОм.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при работе охладителя, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (Ta) +40° С для модификации корпусов:

- 4 - от 42 А до 57 А;

- 7 - от 10,7 А до 12,1 А;

- 8 - от 61 А до 88 А;

- 11 - от 20 А до 27 А.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов:

- 4 - от 56 А до 77 А;

- 8 - от 95 А до 130 А;

- 11 - от 36 А до 45 А.

Параметры управления.

Отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4, 8 - не более 3 В;

- 7 - не более 2 В.

Отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при равенстве UD 12·В и минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) для модификации корпусов:

- 4, 8 - не более 4 В;

- 7 - не более 3,5 В.

Отпирающее постоянный ток управления (IGT) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С для модификации корпусов:

- 4, 8 - не более 150 мА;

- 7 - не более 60 мА.

Отпирающее постоянный ток управления (IGT) при равенстве UD 12·В и минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4, 8 - не более 300 мА;

- 7 - не более 120 мА.

Неотпирающее постоянное напряжение управления (UGD) при постоянном напряжении источника управления, равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не менее 0,2 В.

Параметры переключения.

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (diT/dt)crit для модификации корпусов:

- 4 - не менее 50 А/мкс;

- 7 - не менее 20 А/мкс;

- 8 - не менее 63 А/мкс.

Условия установления норм для всех параметров переключений уточняются для каждой конкретной модификации.

Параметры изоляции.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (UIG) при нормальных климатических условиях (действующее значение) модулей симисторных:

- для класса от 2 до 8 - 2кВ;

- для класса от 9 до 12 - 2,5 кВ.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (Uisol) при повышенной влажности не менее 80%, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с (действующее значение, основные выводы закорочены между собой) - 1,5 кВ.

Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием и его выводами (RIG):

- при нормальных климатических условиях - не менее 50 МОм;

- при повышенной влажности не менее 80%, при UIG 1·кВ и времени приложения испытательного напряжения не менее 10 с - не менее 5 МОм.

Механические параметры.

Масса для модификации корпусов модулей симисторных:

- 4, 8 - не более 0,135 кг;

- 7 - не более 0,012 кг.

- 8 - не более 0,15 кг;

- 11 - не более 0,046 кг.

Для модификации корпусов МГТС11/20:

- используются винты М5 и подключается к выводам 1 и 4;

- крутящий момент дли винта М5 - от 1,8 Н·м до 2,2 Н·м;

- растягивающая сила выводов 2 и 3 - от 18 Н до 22 Н;

- при подключении выводов 2 и 3 в схему рекомендуется использовать розетки с размерами гнезда 2,8×0,8.

Фазовый регулятор МГТС11/20 используется в цепях переменного тока только для активной нагрузки. Диапазон изменения электрического угла регулирования за полпериода при амплитуде синусоидального напряжения 310 В и частоте 50 Гц составляет от 10 до 160 градусов.

Условия эксплуатации:

Климатическое исполнение - У2; Т3.

Температура окружающего воздуха:

- У2 - от -45° С до +40° С;

- Т3 - от +1° С до +40° С.

Максимально допустимая температура хранения:

- при обычном исполнении и У2 - +40° С;

- при исполнении T3 - +50° С.

Минимально допустимая температура хранения - (-40)° С.

Воздействие вибрационных нагрузок:

- диапазон частот - от 10 Гц до 100 Гц;

- ускорение - 50 м/с2.

Одиночные удары:

- длительность импульса - 50 мс;

- ускорение - 40 м/с2.

Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма - излучения).

Описание на модули симисторные создано ООО «ЗАПАДПРИБОР» и добавлено на сайт zapadpribor.org. Использовать данный материал можно только с письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.org/moduli-simistornye/ обязательно.