Модули гибридные оптосимисторные

Технические характеристики

Модули гибридные оптосимисторные

Также эти изделия могут называться: hybrid optosimistor modules.

Модули гибридные оптосимисторные предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условные обозначения:

Модуль МГТСО4(7,8,11,15)/16(17,18,19,22)- 10(16,25,32,40,50,63,80,100,125,160,200,250,320), где

МГ - модуль беспотенциальный гибридный.

ТСО - обозначение прибора первого вида - симметричный оптотиристор (оптотриак).

4, 7, 8, 11, 15 - порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

- 16 - управление с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь - два тиристора включенных встречно-параллельно;

- 17 - управление с опторазвязкой и контролем перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь - триак;

- 18 - управление с опторазвязкой и контролем перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь - два тиристора включенных встречно-параллельно;

- 19 - управление с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь - триак;

- 22 - два тиристора включенных встречно-параллельно с раздельным управлением с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль.

10, 16, 25, 32, 40, 50, 63, 80, 100, 125, 160, 200, 250, 320 - максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (в А).

Модули гибридные оптосимисторные, которые есть в наличии на нашем складе:

МГТСО4/16-100	МГТСО8/16-200	МГТСО11/17-50
МГТСО4/16-125	МГТСО8/16-250	МГТСО11/17-63
МГТСО4/16-160	МГТСО8/16-320	МГТСО11/17-80
МГТСО4/18-100	МГТСО8/18-200	МГТСО11/19-50
МГТСО4/18-125	МГТСО8/18-250	МГТСО11/19-63
МГТСО4/18-160	МГТСО8/18-320	МГТСО11/19-80
МГТСО7/17-10	МГТСО8/22-200	МГТСО15/18-32
МГТСО7/17-16	МГТСО8/22-250	МГТСО15/18-40
МГТСО7/17-25	МГТСО8/22-320
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25

Варианты исполнения модулей гибридных оптосимисторных в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

Также на сайте zapadpribor.org представлены похожие радиокомпоненты.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) - от 400 В до 1600 В.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMSM) - от 10 А до 320 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) - от 70 А до 3,5 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) для модификации корпусов:

- 15 - +100° С;

- остальные - +110° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) - (-40)° С.

Температура корпуса (TC) модулей гибридных оптосимисторных - +70° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) модуля при постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,25°С /Вт;

- 7 - не более 2°С /Вт;

- 8 - не более 0,13°С /Вт;

- 11 - не более 0,55°С /Вт;

- 15 - не более 0,45°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов модулей гибридных:

- 4 - не более 0,5°С /Вт;

- 8 - не более 0,26°С /Вт;

- 15 - не более 0,9°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) для модификации корпусов:

- 4, 8 - не более 0,1°С /Вт;

- 7 - не более 0,2°С /Вт;

- 11, 15 - не более 0,15°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) при естественном охлаждении для модификации корпусов:

- 4 - не более 1,26°С /Вт;

- 7 - не более 5°С /Вт;

- 8 - не более 0,91°С /Вт;

- 11 - не более 3,5°С /Вт;

- 15 - не более 3,15°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов модулей гибридных:

- 4 - не более 0,77°С /Вт;

- 7 - не более 2,87°С /Вт;

- 8 - не более 0,51°С /Вт;

- 11 - не более 1,37°С /Вт;

- 15 - не более 1,72°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов:

- 4 - ОР344-180; ОР344-240;

- 7 - ОР224-60; ОР224-80;

- 8 - ОР344-120; ОР344-180;

- 11 - ОР234-60; ОР234-80;

- 15 - ОР274-80.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс в каждом направлении и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) модулей гибридных - от 450 В до 1700 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) при температуре корпуса (TC) - 0,6·UDRM.

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) при синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - 0,8·UDRM.

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (duD/dt)crit при равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min не менее 200 мкс и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) для группы:

- 2 - не менее 50 В/мкс;

- 3 - не менее 100 В/мкс;

- 4 - не менее 200 В/мкс;

- 5 - не менее 320 В/мкс.

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии (dUD/dt)crit при импульсах источника управления в произвольной форме, напряжении фронта (UG) 2,5 В и длительностью (tG)1 мкс, сопротивлении цепи управления не более 50 Ом, равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 250 мкс и ti 10 мс, равенстве токов IT и ITRMSM и температуре корпуса (TC) +75° С для группы модулей гибридных:

- 1 - не менее 2,5 В/мкс;

- 2 - не менее 4 В/мкс;

- 3 - не менее 6,3 В/мкс;

- 4 - не менее 10 В/мкс;

- 5 - не менее 16 В/мкс;

- 6 - не менее 25 В/мкс;

- 7 - не менее 50 В/мкс;

- 8 - не менее 100 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) (цепь управления разомкнута):

- при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 3 мА;

- при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не более 20 мА.

Прямые параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM) при токе IT 1,41·ITRMSM и температуре перехода (Tj) +25° С модулей гибридных - от 1,5 В до 1,75 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (UT(TO)) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не более 1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (rT) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов:

- 4 - 5 мОм; 3,7 мОм; 2,4 мОм;

- 7 - 50 мОм; 33 мОм; 21 мОм;

- 8 - 2,5 мОм; 2 мОм; 1,4 мОм;

- 11 - 10 мОм; 7,3 мОм; 4,4 мОм;

- 15 - 9 мОм; 11 мОм.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при работе охладителя, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (Ta) +40° С для модификации корпусов модулей гибридных:

- 4 - от 49 А до 64 А;

- 7 - от 10 А до 17 А;

- 8 - от 71 А до 91 А;

- 11 - от 18 А до 26 А;

- 15 - от 17 А до 18 А.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов:

- 4 - от 72 А до 98 А;

- 7 - от 15 А до 27 А;

- 8 - от 115 А до 150 А;

- 11 - от 39 А до 52 А;

- 15 - от 29 А до 30 А.

Параметры управления.

Неотпирающее постоянное напряжение управления (UGD) при постоянном напряжении источника управления, равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов модулей гибридных:

- 8/22 - не менее 1,8 В;

- 15 для индексов «А» и «Д» - не менее 1,6 В;

- всех остальных - не менее 0,9 В.

Напряжение включения по основной цепи (UFT) - не более 20 В.

Напряжение запрета по основной цепи (UINT) - не более 50 В.

Для модификации корпусов 4, 7, 8, 11:

- отпирающее постоянный ток управления (IGT) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 10 мА;

- отпирающее постоянный ток управления (IGT) при равенстве UD 100·В и минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) - не более 14 мА;

- максимально допустимый постоянный ток управления (IGTmax) при температуре перехода (Tj) +25° С и длительностью фронта (tG) 30 мс - не более 30 мА;

- прямое падение напряжения на управляющей цепи (UG) при равенстве IG 10·мА и температуре перехода (Tj) +25° С - не более 5 В;

- прямое падение напряжения на управляющей цепи (UG) при минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) - не более 8 В;

- неотпирающий постоянный ток управления (IGD) при постоянном напряжении источника управления, равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не менее 0,2 мА.

Для модификаций корпуса 15 модулей гибридных с индексом «А»:

- отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 24 В;

- отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) - не более 32 В;

- максимально допустимое постоянное напряжение управления (UGTmax) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 190 В;

- отпирающее переменное напряжение управления (UGTV) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 24 В;

- отпирающее переменное напряжение управления (UGTV) при минимально допустимой температуре перехода (Tjmin)- не более 32 В;

- максимально допустимое переменное напряжение управления (UGTVmax) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 265 В;

- неотпирающее переменное напряжение управления (UGDV) при равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не менее 15 В.

Для модификаций корпуса 15 модулей гибридных оптосимисторных с индексом «Д»:

- отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 4,5 В;

- отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) - не более 6 В;

- максимально допустимое постоянное напряжение управления (UGTmax) при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 36 В;

- неотпирающее переменное напряжение управления (UGDV) при равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не менее 15 В.

Параметры переключения.

Время включения (tgt) модулей гибридных - не более 20 мкс.

Условия установления норм для всех параметров переключений уточняются для каждой конкретной модификации.

Параметры изоляции.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (Uisol) при нормальных климатических условиях, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с (действующее значение):

- для класса от 4 до 8 - 2кВ;

- для класса от 9 до 16 - 2,5 кВ.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием диодного модуля и его выводами (Uisol) при повышенной влажности не менее 80%, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с - 1,5 кВ.

Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием и его выводами (Risol) при Uisol 1·кВ и времени приложения испытательного напряжения не менее 10 с модулей гибридных оптосимисторных:

- при нормальных климатических условиях - не менее 50 МОм;

- при повышенной влажности не менее 80% - не менее 5 МОм.

Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля (UIG) (действующее значение):

- при нормальных климатических условиях - 2,5 кВ;

- при повышенной влажности не менее 80% - 1,5 кВ.

Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля (RIG) при UIG 1·кВ и времени приложения испытательного напряжения не менее 10 с:

- при нормальных климатических условиях - не менее 1000 МОм;

- при повышенной влажности не менее 80% - не менее 100 МОм.

Механические параметры.

Тип крепежного винта и значение крутящего момента, прикладываемого к крепежному винту при монтаже модуля на охладитель для модификации корпусов модулей гибридных:

- 4, 8 - М5 от 4,5 Н·м до 5,5 Н·м;

- 7, 11, 15 - М4; от 1,8 Н·м до 2,2 Н·м.

Крутящий момент, прикладываемый к винту (болту) при подключении основных выводов модулей для модификации корпусов:

- 4, 8 - от 18 Н·м до 22 Н·м;

- 11, 15 - от 1,8 Н·м до 2,2 Н·м.

Крутящий момент, прикладываемый к винту (болту) при подключении управляющих выводов для модулей МГТСО15 - от 1,08 Н·м до 1,32 Н·м

Растягивающая сила:

- для управляющих выводов - от 18 Н до 22 Н;

- для основных выводов модулей МГТСО7 - от 45 Н до 55 Н.

Масса для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,135 кг;

- 7 - не более 0,012 кг;

- 8 - не более 0,15 кг

- 11 - не более 0,046 кг;

- 15 - не более 0,13 кг.

Для модификаций корпуса 15:

Режимы эксплуатации модулей по цепи управления имеющих в маркировке индекс «А»:

- переменный в диапазоне от 24 до 265 В;

- постоянный в диапазоне от 24 до 190 В.

Режимы эксплуатации модулей по цепи управления имеющих в маркировке индекс «Д»:

- постоянный в диапазоне от 4,5 до 36 В.

Включение модулей производят от источника постоянного (переменного) напряжения управления.

При подключении управляющих выводов рекомендуется использовать розетки с размерами гнезда 2,8×0,8.

При проектировании устройств на базе модулей при индуктивном характере нагрузки необходимо учесть, что контроль перехода через ноль осуществляется по напряжению на модуле и не учитывает запаздывание тока через индуктивную нагрузку.

Условия эксплуатации:

Климатическое исполнение модулей гибридных - У2.

Температура окружающего воздуха - от -45° С до +40° С.

Максимально допустимая температура хранения - +40° С.

Минимально допустимая температура хранения - (-40)° С.

Воздействие вибрационных нагрузок:

- диапазон частот - от 10 Гц до 100 Гц;

- ускорение - 50 м/с2.

Одиночные удары:

- длительность импульса - 50 мс;

- ускорение - 40 м/с2.

Модули оптосимисторные предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма - излучения).

Описание на модули гибридные оптосимисторные создано ООО «ЗАПАДПРИБОР» и добавлено на сайт zapadpribor.org. Использовать данный материал можно только с письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.org/moduli-gibridnye-optosimistornye/ обязательно.