Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные

Технические характеристики

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные

Также эти изделия могут называться: optothyristor and optothyristor-diode modules.

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока, частотой до 500 Гц и применяются в устройствах, требующих гальванической развязки силовых и управляющих цепей.

Условные обозначения:

Модуль МД(ТО)ТО(Д)4(6,8,9)/3(6)- 40(63,80,100,125,160,200,250), где

М - модуль беспотенциальный.

Обозначение прибора первого вида или второго вида:

- Д - выпрямительный диод;

- ТО - оптронный тиристор (оптотиристор).

4, 6, 8, 9 - порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

- 3 - два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (соответственно) с выводом средней точки;

- 6 - два полупроводниковых прибора, включенных встречно-параллельно.

40, 63, 80, 100, 125, 160, 200, 250 - максимально допустимый средний прямой ток (в А).

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные, которые есть в наличии на нашем складе:

Варианты исполнения модулей оптотиристорных и оптотиристорно-диодных в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

Также на сайте zapadpribor.org представлены похожие радиокомпоненты.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) и обратное напряжение (URRM) - от 400 В до 1600 В.

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии (ITAVM) и прямой ток (IFAVM) - от 40 А до 250 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) и прямой ток (IFSM) - от 1,25 кА до 6 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) - +100° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) - (-40)° С.

Температура корпуса (TC) модулей оптотиристорных - +60° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 0,6°С /Вт;

- 6, 8 - не более 0,25°С /Вт;

- 9 - не более 0,13°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) одного элемента при постоянном токе - не более 0,1°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) одного элемента при естественном охлаждении и постоянном токе для модификации корпусов:

- 4 - не более 1,45°С /Вт;

- 6, 8 - не более 1,85°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4 - ОР344-120; ОР344-180;

- 6, 8 - ОР344-120; ОР344-180; ОР344-240; ОР344-300; ОР344-350.

О127 заменяется на ОР344-120, О227 заменяется на ОР344-180.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) и обратное напряжение (URSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс, температуре перехода (Tj) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) - от 450 В до 1800 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) и обратное напряжение (UR) при температуре корпуса (TC) - 0,6·UDRM (0,6·URRM).

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) и обратное напряжение (URWM) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс, температуре перехода (Tj) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - 0,8·UDRM (0,8·URRM).

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (duD/dt)crit при равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 200 мкс и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) для группы модулей оптотиристорных:

- 0 - не нормируется, не менее 10 В/мкс;

- 1 - не менее 20 В/мкс;

- 2 - не менее 50 В/мкс;

- 3 - не менее 100 В/мкс;

- 4 - не менее 200 В/мкс;

- 5 - не менее 320 В/мкс;

- 6 - не менее 500 В/мкс;

- 7 - не менее 1000 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) и обратный ток (IRRM) (кроме модификации корпусов 9):

- при температуре перехода (Tj) +25° С - не более 5 мА;

- при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) и равенстве UR и URRM (UD и UDRM) (цепь управления разомкнута) - не более 20 мА.

Прямые параметры.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) и прямой ток (IFRMS) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс и температуре корпуса (TC) модулей оптотиристорных - от 63 А до 392 А.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM) и прямое напряжение (UFM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не менее 500 мкс, ток IT 3,14·ITAVM (IF 3,14·IFAVM) и температуре перехода (Tj) +25° С - не более 1,75 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (UT(TO)) и пороговое напряжение (UTO) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не более 1,1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (rT) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов:

- 4/3 - от 2,6 мОм до 5,2 мОм;

- 4/6 - от 1,1 мОм до 8,4 мОм;

- 6, 8 - от 1,1 мОм до 2,4 мОм.

Ток включения (IL) (для модификации корпусов 4/3) - 70 мА; 100 мА.

Ток удержания (IH) при температуре перехода (Tj) +25° С и равенстве UD 12·В (цепь управления разомкнута) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 70 мА;

- 4/6, 4, 6, 8 - не более 100 мА.

Средний ток в открытом состоянии (ITAV) и прямой ток по элементам (IFAV) при работе одного модуля с охладителем, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (Ta) +40° С для модификации корпусов:

- 4/3 - от 30 А до 47 А;

- 6, 8 - от 28 А до 44 А.

Параметры управления.

Отпирающее импульсное напряжение управления (UGTM) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 2 В;

- 4/6 - не более 7 В (вариант І); не более 3,5 В (вариант ІІ);

- 6, 8 - не более 2,5 В.

Отпирающее импульсное напряжение управления (UGTM) при равенстве UD 12·В и минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 3 В;

- 4/6 - не более 8 В (вариант І); не более 4 В (вариант ІІ);

- 6, 8 - не более 3,5 В.

Отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 1,6 В;

- 4/6 - не более 2 В;

- 6, 8 - не более 1,8 В.

Отпирающий импульсный ток управления (IGTM):

- при температуре перехода (Tj) +25° С - 250 мА;

- при равенстве UD 12·В и минимально допустимой температуре перехода (Tjmin) - 600 мА.

Отпирающее постоянный ток управления (IGT) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С модулей оптотиристорных - 80 мА.

Максимально допустимый постоянный ток управления (IGTmax) - 100 мА.

Максимально допустимый импульсный ток управления (IGTMmax) - 700 мА.

Неотпирающее постоянное напряжение управления (UGD) при постоянном напряжении источника управления, равенстве напряжений UD и 0,67·UDRM и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) - не менее 0,9 В.

Параметры переключения.

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (diT/dt)crit - не менее 100 А/мкс;

Заряд восстановления (Qrr) для модификации корпусов:

- 4/3 - не более 175 мкКл;

- 6, 8 - не более 586 мкКл.

Время обратного восстановления (trr) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4/3 - не более 10 мкс;

- 6, 8 - не более 17,5 мкс.

Время включения (tgt) (для модификации корпусов 4/3) - 15 мкс.

Время выключения (tq) для группы:

- Е2 - не более 500 мкс;

- Н2 - не более 400 мкс;

- К2 - не более 320 мкс;

- М2 - не более 250 мкс;

- Р2 - не более 200 мкс;

- Т2 - не более 160 мкс.

Условия установления норм для всех параметров переключений уточняются для каждой конкретной модификации.

Параметры изоляции.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (Uisol) при нормальных климатических условиях, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с (действующее значение, выводы 1, 2, 3 закорочены между собой):

- для класса от 4 до 8 - 2кВ;

- для класса от 9 до 16 - 2,5 кВ.

Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (Uisol) при повышенной влажности не менее 80%, с частотой испытательного напряжения 50 Гц и длительности приложения напряжения 60 с - 1,5 кВ.

Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием и его выводами (Risol) при Uisol 1·кВ и времени приложения испытательного напряжения не менее 10 с:

- при нормальных климатических условиях - не менее 50 МОм;

- при повышенной влажности не менее 80% - не менее 5 МОм.

Масса для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

- 4 - не более 0,135 кг;

- 6, 8 - не более 0,21 кг.

При снижении температуры эксплуатации модулей МТОТО с индексом «А» в маркировке ниже +5° С необходимо переходить на импульсный режим работы по цепи управления.

Постоянный ток управления применим только для модулей с индексом «А».

Условия эксплуатации:

Климатическое исполнение - У2; Т3.

Температура окружающего воздуха:

- У2 - от -45° С до +40° С;

- Т3 - от +1° С до +40° С.

Максимально допустимая температура хранения модулей оптотиристорных:

- при обычном исполнении и У2 - +40° С;

- при исполнении T3 - +50° С.

Минимально допустимая температура хранения - (-40)° С.

Воздействие вибрационных нагрузок:

- диапазон частот - от 10 Гц до 100 Гц;

- ускорение - 50 м/с2.

Одиночные удары:

- длительность импульса - 50 мс;

- ускорение - 40 м/с2.

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма - излучения).

Описание на модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные создано ООО «ЗАПАДПРИБОР» и добавлено на сайт zapadpribor.org. Использовать данный материал можно только с письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.org/moduli-optotiristornye-i-optotiristorno-diodnye/ обязательно.