Микросхемы серии 159

Технические характеристики

Микросхемы серии 159

Также это изделие может называться: microchips series 159.

Микросхемы серии 159 интегральные предназначены для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Микросхема 159 серии представляет собой сборку из двух биполярных транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Используется в радиоэлектронной аппаратуре.

Условные обозначения после номера серии:

- С1, З, Т1, У - корпус с золотым покрытием;

- С, Н, Т, У1 - корпус с покрытием «никель-бор»;

- С2 - никелированный корпус;

- ВК - комбинированные устройства;

- КЗ - каталитическое золото;

- Н1, Н11 - бескорпусное исполнение.

Условные обозначения перед номером серии:

- К - микросхемы приемки ОТК;

- КР - пластмассовый корпус;

- ОСМ - микросхема повышенной надежности, приемки ПЗ.

Наиболее популярные микросхемы серии 159, которые есть в наличии на нашем складе:

Варианты исполнения 159 серии микросхем в зависимости от вида приёмки:

- ОТК - отдел технического контроля;

- ОС - особо стойкие (особо стабильные);

- ПЗ - приемка заказчика;

- ВП - военная приемка.

Технические характеристики микросхемы серии 159:

- некоторые технические параметры указаны через точку с запятой в зависимости от модели микросхемы; более подробную информацию смотрите в сравнительной таблице.

Обратный ток:

- коллектора, не более - 0,01 мкА;

- эмиттера, не более - 0,03 мкА;

- коллектора-эмиттера, не более - 0,03 мкА.

Ток утечки между транзисторами, не более - 0,01 мкА.

Количество транзисторов - 2.

Статический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала:

- при токе эмиттера 1 мА - от 30 до 90; от 60 до 180;

- при токе эмиттера 0,05 мА, не менее - 80.

Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала:

- при токе эмиттера 1 мА, не менее: 0,8; 0,9;

- при токе эмиттера 0,05 мА, не менее: 0,8; 0,92.

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте для изделия серия микросхем 159, не менее - 2,5.

Модуль разных прямых напряжений база-эмиттер, не более: 3 мВ; 10 мВ.

Емкость коллекторного перехода, не более - 3 пФ.

Емкость эмиттерного перехода, не более - 4 пФ.

Абсолютное измерение модуля разности напряжений база-эммитер, не более: 2 мВ; 6 мВ.

Прямое падение напряжения база-эмиттер транзистора - от 0,55 В до 0,75 В.

Функциональное назначение - базовая схема дифференциального усилителя.

Тип корпуса - ТО-5.

Температура окружающего воздуха - от -60° С до +125° С.

Масса, не более - 1,3 г.

Сравнительная таблица микросхем серии 159:

Параметры надежности:

Гамма-процентный ресурс микросхем при γ=95% - 200 000 ч.

Минимальная наработка:

- в обыкновенных режимах и условиях - 100 000 ч;

- в облегченных режимах - 120 000 ч.

Минимальный срок сохраняемости набора биполярных транзисторов серии 159 при их хранении:

- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП, не более - 25 лет;

- в неотапливаемом хранилище, не более - 16,5 лет;

- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру, или в комплекте ЗИП, не более - 12,5 лет.