Фотоприемники на основе полупроводниковых материалов

Технические характеристики

Фотоприемники на основе полупроводниковых материалов

Также это изделие может называться: photodetector, photo receiver, photodetector based on semiconductor materials.

Фотоприемники на основе полупроводниковых материалов предназначены для регистрации ультрафиолетового излучения в диапазоне от 180 нм до 1100 нм.

Фотоприемники на основе полупроводниковых материалов, которые есть в наличии на нашем складе:

Подробные сведения о параметрах фотоприемников на основе полупроводниковых материалов приведены в таблице.

Для регистрации ультрафиолетовых излучений наиболее широкое распространение получили приемники, использующие способность вызывать ионизацию и фотоэффект:

- сцинтилляционные детекторы;

- вакуумные фотоэлементы;

- фотоумножители;

- фоторезисторы с ультрафиолетовыми фильтрами;

- кремниевые фотодиоды;

- фотодиоды на основе алмаза и других материалов.

Основные применения приемников:

- контроль излучения мощных УФ-эксимерных лазеров, ультрафиолетовых ламп и других источников в диапазоне от 180 нм до 1100 нм;

- контроль и управление источниками ультрафиолетовой стерилизации;

- научные исследования;

- контроль фотохимических реакций;

- системы для контроля возгораний;

- детекторы пламени;

- «солнечно-слепые» системы контроля состояния озонового слоя;

- аппаратура для геофизического контроля и картографии.

Область спектральной характеристики для ФДУК-100УВ, ФДУК-100УВZr/Sic, ФДУК-8УВСК - от 0,02 мкм до 1,1 мкм.

Рабочее напряжение для:

- ФДУК-100УВ, ФДУК-100УВZr/Sic - 0;

- ФДУК-1УВСК, ФДУК-8УВСК - от 10 В до 50 В.

Темневой ток для:

- ФДУК-100УВ, ФДУК-100УВZr/Sic - 10-9 А;

- ФДУК-1УВСК - 10-7 А;

- ФДУК-8УВСК - 10-8 А.

В фоторезисторах на основе сульфида кадмия пленочный фоточувствительный элемент расположен в герметичном металлостеклянном корпусе и снабжен светофильтром из стекла УФС-2.

Кремниевые фотодиоды обладают минимальной чувствительностью в левой части спектральной характеристики. Фотодиоды серии ФДУК используются как опорные детекторы в системах с лампами-вспышками ультрафиолетового диапазона.

Фотоприемные устройства объединяют в одном корпусе фоточувствительный элемент (ФД-серии ФДУК) и операционный усилитель. Размещаются в герметичных металлостеклянных корпусах и обладают повышенной защищенностью входных цепей от электромагнитных помех. Предусмотрена возможность установки внешнего резистора обратной связи (не более 10 ГОм).

Фотоприемное устройство ФПУ ФД содержит фотодиод и предусилитель с АЦП, преобразующим аналоговый сигнал в цифровой с частотой 40 кГц (25 мкс на один цикл АЦП), и микропроцессором с выходом на шину IIC. ФПУ размещено в нестандартном металлическом корпусе. ФПУ ФД может использоваться для измерений при относительно высоких уровнях освещенности - когда шум, вызванный фотонами, сильнее шума встроенного усилителя. Устройство крепится непосредственно на выходной щели монохроматора либо на стойке, устанавливающейся на рельсе.

Фоторезисторы на основе природного алмаза размещены в стандартных металлостеклянных или металлокерамических корпусах типа ТО-8, ТО-18 или DIR-16 и снабжены входным окном из материала, прозрачного в ультрафиолетовом диапазоне спектра. Могут выпускаться и без входных окон.

Фотоприемное устройство на основе алмаза размещено в 22-выводном металлокерамическом корпусе типа DIR-22. Корпус может снабжаться входным окном из материала, прозрачного для ультрафиолетового излучения.

Внутри корпуса установлены:

- алмазный фоточувствительный элемент;

- бескорпусная интегральная схема операционного усилителя типа К744УД1а-1;

- пассивные компоненты.

Также фотоприемники на основе полупроводниковых материалов встречаются под такими названиями:

Описание на фотоприемники на основе полупроводниковых материалов создано ООО «ЗАПАДПРИБОР» и добавлено на сайт zapadpribor.org. Использовать данный материал можно только с письменного разрешения правообладателя; указание ссылки на данную страницу zapadpribor.org/fotopriemniki-na-osnove-poluprovodnikovykh-materialov/ обязательно.